[发明专利]电极的表面处理方法和电极以及有机电致发光元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201080021750.7 申请日: 2010-05-18
公开(公告)号: CN102428757A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 迫勘治朗;近藤邦夫 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: H05B33/26 分类号: H05B33/26;H01B13/00;H01L51/50;H05B33/10
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的课题在于,提供以简便地操作提高电极的功函数的方法、和具有功函数高的阳极、发光特性(发光效率、寿命)优异、具有辉度不均少、缺陷少的优良品质的发光面、且漏电流小的有机EL元件。本发明提供了一种电极的表面处理方法,其特征在于,包括使由金属氧化物形成的电极与合有下述式(1)所示的硅烷化合物和/或其部分水解缩合物以及水的溶液接触的接触工序,还提供了在通过上述方法表面处理过的由金属氧化物形成的阳极上依次叠层发光层和阴极而成的有机EL元件,Si(OR)p(X)q(OH)4-p-q……(1)[式(1)中,OR分别独立地表示烷氧基或芳氧基,X分别独立地表示上述OR以外的其它水解性基团,P是1~4的整数,q是0~3的整数,并且p+q≤4]。
搜索关键词: 电极 表面 处理 方法 以及 有机 电致发光 元件 制造
【主权项】:
一种电极的表面处理方法,其特征在于,包括使由金属氧化物形成的电极与含有下述式(1)所示的硅烷化合物和/或其部分水解缩合物以及水的溶液接触的接触工序,Si(OR)p(X)q(OH)4‑p‑q    (1)式(1)中,OR分别独立地表示烷氧基或芳氧基,X分别独立地表示上述OR以外的其它水解性基团,p是1~4的整数,q是0~3的整数,并且p+q≤4。
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