[发明专利]电极的表面处理方法和电极以及有机电致发光元件的制造方法无效
申请号: | 201080021750.7 | 申请日: | 2010-05-18 |
公开(公告)号: | CN102428757A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 迫勘治朗;近藤邦夫 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H05B33/26 | 分类号: | H05B33/26;H01B13/00;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 表面 处理 方法 以及 有机 电致发光 元件 制造 | ||
1.一种电极的表面处理方法,其特征在于,包括使由金属氧化物形成的电极与含有下述式(1)所示的硅烷化合物和/或其部分水解缩合物以及水的溶液接触的接触工序,
Si(OR)p(X)q(OH)4-p-q (1)
式(1)中,OR分别独立地表示烷氧基或芳氧基,
X分别独立地表示上述OR以外的其它水解性基团,
p是1~4的整数,q是0~3的整数,并且p+q≤4。
2.如权利要求1所述的电极的表面处理方法,其特征在于,上述硅烷化合物是四烷氧基硅烷。
3.如权利要求2所述的电极的表面处理方法,其特征在于,上述四烷氧基硅烷是选自四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷和四丁氧基硅烷中的至少1种。
4.如权利要求1~3的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,上述溶液含有以Si原子换算为0.001~10质量%的上述硅烷化合物和/或其部分水解缩合物。
5.如权利要求1~4的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,上述溶液含有10~80质量%的水和90~20质量%的碳原子数1~3的醇,其中两者的总计量为100质量%。
6.如权利要求1~5的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,上述溶液的pH值为1.0~5.0。
7.如权利要求1~5的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,上述溶液的pH值为9.0~12。
8.如权利要求1~7的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,通过将上述溶液涂布到上述电极表面上来进行上述接触工序。
9.如权利要求8所述的电极的表面处理方法,其特征在于,上述涂布方法是在上述电极表面形成上述溶液的积液部,通过使上述电极在其表面的面内方向旋转来将上述积液部展开,从而使上述溶液覆盖上述电极的整个表面的方法。
10.如权利要求1~7的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,通过将上述电极浸渍在上述溶液中,或向上述电极喷吹上述溶液,来进行上述接触工序。
11.如权利要求10所述的电极的表面处理方法,其特征在于,还含有在上述接触工序之后马上用水洗净电极的洗净工序。
12.如权利要求1~11的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,在上述接触工序后的任一阶段,但在含有上述洗净工序时在上述洗净工序后的任一阶段,还含有将电极加热到60~250℃的加热工序。
13.如权利要求1~12的任一项所述的电极的表面处理方法,其特征在于,在上述接触工序后的任一阶段,但在含有上述洗净工序时在上述洗净工序后的任一阶段,还包括向电极照射紫外线的UV照射工序。
14.一种由金属氧化物形成的电极,通过权利要求1~13的任一项所述的方法表面处理过。
15.一种由氧化铟锡形成的电极,其特征在于,通过权利要求1~13的任一项所述的方法表面处理过,在大气中通过紫外光电子能谱分析法测得的功函数为-4.9~-6.0eV。
16.一种有机电致发光元件,在通过权利要求1~13的任一项所述的方法表面处理过的由金属氧化物形成的阳极的表面处理过的面上依次叠层有发光层和阴极。
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