[发明专利]光伏装置有效
| 申请号： | 201080021370.3 | 申请日： | 2010-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN102422386A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 熊刚;里奇·C·鲍威尔;亚伦·洛奇林;昆拓·库马;阿诺德·阿莱林克;肯·云;查理斯·威克沙姆 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种提高基于CdTe的光伏装置的效率的方法。基于CdTe的光伏装置可以在半导体层中包括氧或硅。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种制造光伏装置的方法，所述方法包括以下步骤：将透明导电氧化物层沉积为与基底相邻；将半导体窗口层沉积为与透明导电氧化物层相邻；将半导体吸收层沉积为与半导体窗口层相邻，其中，半导体窗口层和半导体吸收层中的一个或多个包括载流子浓度调节剂；以及将背接触层沉积为与半导体吸收层相邻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于第一太阳能有限公司，未经第一太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080021370.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
