[发明专利]用于光刻技术的检查方法

摘要

一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系以确定衬底上的聚焦。

主权项

一种确定在光刻工艺中使用的光刻设备在衬底上的聚焦的方法，所述方法包括下列步骤：(a)使用所述光刻工艺在所述衬底上形成至少两个周期结构，每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有随着所述光刻设备在所述衬底上的聚焦的不同函数而变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度；(b)测量通过引导辐射束到所述至少两个周期结构上而产生的光谱；(c)由所测光谱确定所述特征中的每一个特征的不对称度的比值；和(d)使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系来确定衬底上的聚焦。