[发明专利]边发射的半导体激光器有效
| 申请号： | 201080018847.2 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102414944A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 马克·施尔格雷安斯;斯蒂芬·鲁特格恩;尤伟·斯特劳斯 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/0683 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(10)，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2a)、第二波导层(2b)和设置在第一波导层(2a)和第二波导层(2b)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一覆盖层(1a)和第二覆盖层(1b)之间，所述第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上设置在波导区域(4)之后。波导区域(4)具有400nm或者更小的厚度(d)，以及在平行于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角和在垂直于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角彼此相差小于3倍。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(1)，所述半导体本体具有波导区域，其中—波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3)，—波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)和第二覆盖层(1B)之间，所述第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上设置在波导区域(4)之后，其特征在于，—波导区域(4)具有400nm或者更小的厚度d，以及—在平行于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角αP和在垂直于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角αS彼此相差小于3倍。
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