[发明专利]用于EUV 波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的透射曝光设备有效
| 申请号： | 201080016694.8 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102395907A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | H-J.保罗;G.布朗;S.米古拉;A.多多克;C.扎克泽克 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;G21K1/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜，所述反射镜包括施加在基底上的层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”)，每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层，用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)，并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)，并且/或者，最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 波长 范围 反射 包括 这种 微光 投射 物镜 以及 透射 曝光 设备 | ||
【主权项】：
一种用于EUV波长范围的反射镜，所述反射镜包括施加在基底上的层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”)，每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)的两个单独层，所述高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)由不同材料构成，并且所述周期(P2、P3)在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离，其特征在于：对于一入射角区间，所述反射镜在13.5nm波长处具有大于35％的反射率以及小于或等于0.25、尤其是小于或等于0.23的PV值的反射率变化，所述入射角区间选自以下入射角区间组：从0°到30°、从17.8°到27.2°、从14.1°到25.7°、从8.7°到21.4°、以及从2.5°到7.3°。
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