[发明专利]经由磁约束获得的带电微粒耗尽等离子体的薄膜沉积无效
| 申请号: | 201080015775.6 | 申请日: | 2010-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN102388468A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
| 发明(设计)人: | S·奥维辛斯基 | 申请(专利权)人: | 奥维新斯基创新有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 刘博 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 在存在磁场的情况下经由等离子体沉积过程形成薄膜材料的方法和装置。前体被递送到沉积室并且被激活以形成等离子体。等离子体可在存在磁场的情况下被初始化或者在初始化之后经过磁场。等离子体包括从前体获得的电离粒种和中性粒种,并且磁场操纵等离子体以实现电离粒种种群的减少和中性粒种的种群的增加。随后,由得到的富含中性沉积介质形成薄膜材料。所述方法使得可以形成具有低密度缺陷的薄膜材料。在一个实施方案中,薄膜材料为光伏材料,并且对缺陷的抑制使得光伏效率提高。 | ||
| 搜索关键词: | 经由 约束 获得 带电 微粒 耗尽 等离子体 薄膜 沉积 | ||
【主权项】:
一种形成薄膜材料的方法,包括:提供一种或多种前体;激活所述前体以形成等离子体,所述等离子体包括多种粒种,所述多个粒种包括一个或多个带电粒种以及一个或多个中性粒种;借助于磁场来操纵所述等离子体,对所述等离子体的所述操纵降低了所述等离子体中所述带电粒种的浓度,从而生成带电微粒耗尽沉积介质;以及由所述带电微粒耗尽沉积介质形成薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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