[发明专利]光伏电池有效
| 申请号： | 201080014930.2 | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102388466A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | R·C·哈珀 | 申请（专利权）人： | IQE硅化合物有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0693 | 分类号： | H01L31/0693;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开了一种诸如太阳能电池等光伏电池，其含有一个或多个与GaAs基本晶格匹配的SiGe或另一锗材料的外延生长层。使用包括将所述GaAs和锗材料间的边界用作蚀刻终止物的方法可以除去用于生长所述层的GaAs衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 | ||
【主权项】：
一种光伏电池，所述光伏电池包含第一光伏结，所述第一光伏结包含一个或多个第一半导体层，所述一个或多个第一半导体层是与GaAs基本晶格匹配的SiGe和/或其他锗材料的外延生长层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
