[发明专利]石墨烯膜的制造方法、电子元件的制造方法及石墨烯膜向基板的转印方法有效
| 申请号： | 201080014143.8 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102438944A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 藤田淳一 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不需要高温就能够制造大面积的石墨烯的石墨烯膜的制造方法；以及能够在电子元件基板上容易地形成基于抗蚀剂的FET电路图案，并且可对元件进行集成而容易地适用于大面积化工艺的电子元件的制造方法及可将大面积的石墨烯膜分离、进而在基板的所要求的部位转印所要求的大小的石墨烯膜的、向基板的石墨烯膜的转印方法。所述石墨烯膜的制造方法的特征为：包括使无定形碳膜和镓等的液体金属接触，在接触界面形成石墨烯膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 制造 方法 电子元件 | ||
【主权项】：
一种石墨烯膜的制造方法，其特征在于，包括使无定形碳膜与选自镓、铟、锡及锑中的至少一种金属接触，在接触界面形成石墨烯膜的工序。
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