[发明专利]数据保持二次调压器

摘要

一种集成电路装置具有一次调压器和超低功率二次调压器。所述超低功率二次调压器在所述集成电路装置处于低功率睡眠模式中时向用于提供数据保持以及例如实时时钟和日历RTCC等动态操作的某些电路供应电压。所述一次调压器在所述集成电路处于操作模式中时向这些相同的某些电路提供电力。

主权项

一种低功率调压器，其用于在集成电路装置低功率睡眠模式期间向维持数据和/或进行操作所需的电路供应操作电压，所述低功率调压器包括：第一恒定电流源，其连接到电源电压源；第一N沟道场效应晶体管FET，其具有源极、漏极和栅极，其中所述第一N沟道FET的所述漏极连接到所述电源电压，所述第一N沟道FET的所述栅极连接到所述第一恒定电流源，且所述第一恒定电流源连接在所述第一N沟道FET的所述栅极与漏极之间；第二N沟道FET，其具有源极、漏极和栅极，其中所述第二N沟道FET的所述漏极连接到所述第一N沟道FET的所述栅极和所述第一恒定电流源，且所述第二N沟道FET的所述源极连接到共用电源电压；第二恒定电流源，其连接到所述共用电源电压和所述第二N沟道FET的所述栅极；第一P沟道FET，其具有源极、漏极和栅极，其中所述第一P沟道FET的所述漏极和栅极连接到所述第二N沟道FET的所述栅极和所述第二恒定电流源，且所述第一P沟道FET的所述源极连接到所述第一N沟道FET的所述源极；所述第一和第二N沟道FET、所述第一P沟道FET以及所述第一和第二恒定电流源构成具有输出的低功率二次调压器，其中所述输出是所述第一P沟道FET和所述第一N沟道FET的所述所连接的源极；以及集成电路装置的维持的电压核心逻辑，其连接到所述低功率二次调压器的所述输出。