[发明专利]半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201080013611.X | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102460863B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 马克·施尔格雷安斯;阿尔弗雷德·莱尔;迪米特里·蒂尼;阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科;克里斯托夫·艾克勒;迪泽尔·科尤恩;特里萨·罗曼 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/22;H01S5/223;H01S5/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 许伟群,郭放 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器装置(1)，具有：‑第一区域(2)，‑第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)，以及具有：‑有源区(3)，其设置在所述第一区域(2)和所述第二区域之间，其中‑包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在所述突出的区带(4g)上，并且横向地超出所述突出的区带(4g)，‑该半导体激光器装置(1)具有属于所述突出的区带(4g)并且朝着所述盖层(5，5a，5b)的接触层(4e)，其中，该盖层(5，5a，5b)覆盖接触层(4e)，以及‑所述盖层(5，5a，5b)由不同的电学特性和光学特性的层组成，其中，‑盖层(5，5a，5b)具有与突出的区带(4g)的侧边邻接的下部的第一部分层(5a)，所述第一部分层(5a)具有第一导电性和适于单模激光器运行的、用于衰减较高模式的折射率，以及‑盖层(5，5a，5b)具有与突出的区带的主面邻接的上部的第二部分层(5b)，所述第二部分层(5b)具有第二导电性，用于形成与接触层(4e)的电接触，其中，第二导电性大于第一导电性。
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