[发明专利]开关电容器电压转换器有效
| 申请号： | 201080009228.7 | 申请日： | 2010-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102334164A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | R·H·德纳尔德;B·吉;R·K·蒙托耶 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于集成电路的片上电压转换装置包括：第一电容器；第一NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第一电极耦合到第一电压域的低侧电压轨；第一PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第一电极耦合到所述第一电压域的高侧电压轨；第二NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第二电极耦合到第二电压域的低侧电压轨，其中所述第二电压域的所述低侧电压轨对应于所述第一电压域的所述高侧电压轨；以及第二PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第二电极耦合到所述第二电压域的高侧电压轨。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 电容器 电压 转换器 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路的片上电压转换装置，包括：第一深沟槽电容器；第一NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第一电极耦合到第一电压域的低侧电压轨；第一PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第一电极耦合到所述第一电压域的高侧电压轨；第二NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第二电极耦合到第二电压域的低侧电压轨，其中所述第二电压域的所述低侧电压轨对应于所述第一电压域的所述高侧电压轨；以及第二PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第二电极耦合到所述第二电压域的高侧电压轨；其中所述第一和第二NFET和PFET器件形成在绝缘体上硅(SOI)衬底上。
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