[发明专利]制造接触的方法、接触和包括接触的太阳能电池无效
申请号: | 201080006317.6 | 申请日: | 2010-01-27 |
公开(公告)号: | CN102356466A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 埃里克·萨乌尔;安德烈亚斯·本特森;卡尔·伊娃·伦达尔 | 申请(专利权)人: | 可再生能源公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/06 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 关兆辉;谢丽娜 |
地址: | 挪威桑*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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摘要: | 用于在包括硅衬底(2)的太阳能电池的背表面上提供至少一个接触的方法,包括将钝化层(3)沉积到硅衬底(2)上,其后提供至少一个接触部位,以及进一步提供构图的暴露的硅表面。然后沉积金属层(8)并对该结构(1)进行退火以形成金属硅化物(9)。其后该工艺包括可选地去除多余的金属(8)和最后将金属施加到硅化物(9)上以形成至少一个接触(10)。一种太阳能电池,包括背表面,该背表面包括通过上述的方法制造的接触。一种用于太阳能电池的背表面的接触(10),包括硅衬底(2),沉积到硅衬底(2)上的非晶硅层(3),沉积到非晶硅层(3)上的具有至少一个开口(7)的反射层(6),在至少一个开口(7)中留下硅化物(9),额外的金属覆盖该硅化物(9)。 | ||
搜索关键词: | 制造 接触 方法 包括 太阳能电池 | ||
【主权项】:
用于提供一种结构(1)的方法,所述结构在包括硅衬底(2)、至少一个掺杂区(13)的太阳能电池的背表面上具有至少一个接触,其中所述方法包括以下步骤:a)将钝化层(3)沉积到所述硅衬底(2)的所述背表面上,b)提供至少一个接触部位,c)提供构图的暴露的硅表面,d)非选择性地沉积金属层(8),e)对所述结构(1)退火以形成金属硅化物(9),f)在步骤e)之后去除多余的金属(8),g)将金属施加到所述硅化物(9)上以形成至少一个接触(10)。
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