[发明专利]太阳能电池方法及结构

摘要

一种光伏器件，形成有第一掺杂剂型的半导体材料层的钝化的第一受光面。形成有相反掺杂的半导体材料区，以在与半导体材料层的第一受光面相对地设置的第二表面的至少一部分上形成p-n结。第一掺杂剂型的半导体材料层的第一受光面上形成有第一接点，并且半导体材料层的第二表面上的相反掺杂材料上形成有第二接点。通过在硅材料的表面上方形成铝层而在硅半导体材料的表面上形成p型区。然后在高于铝硅低共熔温度的一温度下对铝进行尖峰烧结，以形成铝半导体合金p型区。在低于铝硅低共熔温度的一温度下执行低温固相外延生长工艺，由此通过固相外延生长使铝区和/或合金区内的剩余硅在铝/硅界面处形成p型区。

主权项

一种形成光伏器件的方法，包括：a)使第一掺杂剂型的半导体材料层的第一受光面钝化；b)形成多个相反掺杂的半导体材料区，以在与所述半导体材料层的所述第一受光面相对地设置的第二表面的至少一部分上形成p‑n结；c)形成与所述第一掺杂剂型的半导体材料层的所述第一受光面的第一接点；以及d)形成与所述半导体材料层的所述第二表面上的相反掺杂材料的第二接点。