[发明专利]一种用于制造太阳能级硅的生产工艺无效
| 申请号： | 201080003417.3 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102725228A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘荣隆;郑敏 | 申请（专利权）人： | 矽明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁;朱凌 |
| 地址： | 中国香港湾仔轩尼诗道2*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于制造太阳能级硅的生产工艺，步骤如下：选择纯度在98～99.5％以上的冶金级金属硅，硼元素含量＜50ppm，磷元素含量＜100ppm；高温液态萃取硅液中的硼、磷；硅液凝固；破碎研磨；表面浸蚀；水洗干燥；高温等离子除硼；高温真空精炼去磷、铝和钙；单向凝固；后处理。本发明获得的多晶硅锭，硼＜0.06ppm，磷＜0.01ppm，总金属含量＜0.01ppm，电阻率＞1.0Ω·cm，直接切片用于制造太阳能电池片，可以获得15％以上的光电转换效率；直拉单晶后切片用于制造太阳能电池片，可以获得16％以上的光电转换效率；经过区域熔融法拉单晶后切片用于制造太阳能电池片，可以获得17％以上的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 太阳 能级 生产工艺 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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