[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置

摘要

提供一种减小电阻变化元件的低电阻状态的电阻值的偏差、进行稳定的动作的电阻变化型非易失性存储装置。该电阻变化型非易失性存储装置具备对存储单元(102)施加电压、以使包含在该存储单元(102)中的电阻变化元件(100)等从高电阻状态转变为低电阻状态的LR写入电路(500)；LR写入电路(500)具有对存储单元(102)施加电压的、输出端子相互连接的第1驱动电路(510)及第2驱动电路(520)；第1驱动电路(510)在对存储单元(102)施加电压时输出第1电流，第2驱动电路(520)在对存储单元(102)施加电压时，在第1驱动电路(510)的输出端子处的电压比预先确定的基准电压VREF高的情况下输出第2电流，在输出端子处的电压比基准电压VREF低的情况下为高阻抗状态。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储装置，其特征在于，具备：存储单元阵列，以矩阵状配置存储单元而构成，该存储单元具备电阻变化元件和与上述电阻变化元件串联连接的第1开关元件，上述电阻变化元件由第1电极、第2电极、和夹在上述第1电极及第2电极之间、对应于对上述第1电极及第2电极间施加的电压的极性而可逆地转变为高电阻状态或低电阻状态的非易失性的电阻变化层构成；选择电路，从构成上述存储单元阵列的存储单元中选择至少一个存储单元；高电阻状态写入电路，对由上述选择电路选择的存储单元施加电压，以使得作为用来使包含在该存储单元中的电阻变化元件从低电阻状态转变为高电阻状态的电压而以该电阻变化元件的第1电极为基准对第2电极施加正的电压；以及低电阻状态写入电路，对由上述选择电路选择的存储单元施加电压，以使得作为用来使包含在该存储单元中的电阻变化元件从高电阻状态转变为低电阻状态的电压而以该电阻变化元件的第2电极为基准对第1电极施加正的电压；上述低电阻状态写入电路具有对上述存储单元施加上述电压的、输出端子相互连接的第1驱动电路及第2驱动电路；当上述低电阻状态写入电路对上述存储单元施加上述电压时上述第1驱动电路输出第1电流；当上述低电阻状态写入电路对上述存储单元施加上述电压时，在上述第1驱动电路的输出端子处的电压比预先确定的第1基准电压高的情况下上述第2驱动电路输出第2电流，在上述输出端子处的电压比上述第1基准电压低的情况下上述第2驱动电路为高阻抗状态。