[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的写入方法和电阻变化型非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201080001861.1 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102067234A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 东亮太郎;岛川一彦;村冈俊作;河合贤 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 变化 型非易失性 存储 元件 写入 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，是针对电阻变化型非易失性存储元件的数据的写入方法，其中上述电阻变化型非易失性存储元件具备第一电极以及第二电极，并根据在上述第一电极以及第二电极间施加的电压的极性可逆地转变高电阻状态和低电阻状态，其特征在于，所述写入方法包括：高电阻化写入步骤，为了使上述电阻变化型非易失性存储元件成为高电阻状态，以上述第一电极为基准对上述第二电极施加正的第一电压；低电阻化写入步骤，为了使上述电阻变化型非易失性存储元件成为低电阻状态，以上述第一电极为基准对上述第二电极施加负的第二电压；以及低电阻稳定化写入步骤，在通过上述低电阻化写入步骤施加了上述负的第二电压之后，通过以上述第一电极为基准对上述第二电极施加正的第三电压从而使上述电阻变化型非易失性存储元件成为低电阻状态。
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