[实用新型]有机发光器件像素电路的薄膜晶体管结构有效
| 申请号： | 201020662077.2 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN201985105U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 洪宣杓;闫晓剑 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;G09G3/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种有机发光器件像素电路的薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，活性层呈字形，活性层之上的栅电极层由一条金属薄膜带组成，金属薄膜带通过活性层的平行的两边并在活性层的中间位置形成两处交叉点。本实用新型的有益效果是：为了在固定尺寸中增加活性层的长度以便可以布置更多的金属薄膜带与活性层的交叉点，因此使得活性层呈字形，增加了金属薄膜带与活性层的交叉点后，使得开关晶体管T1的开关效果更好，可以更好的抑制漏电流的产生，因此可以取得更好的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 器件 像素 电路 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种有机发光器件像素电路的薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，其特征是，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，活性层呈![]()
字形，活性层之上的栅电极层由一条金属薄膜带组成，金属薄膜带通过活性层的平行的两边并在活性层的中间位置形成两处交叉点。
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