[实用新型]低电压/低漏电流的TVS二极管器件有效
| 申请号： | 201020595246.5 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN201898136U | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 袁德成;张意远;俞栋梁;郭银银 | 申请（专利权）人： | 上海美高森美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/167;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 | 代理人： | 周志宏 |
| 地址： | 201108 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低电压/低漏电流的TVS二极管器件，包括有由中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、钝化保护层、上电极金属层、下电极金属层；所述由上掺杂层为扩散形成的P型硼扩散区及P型硼扩散区的中间段具有P/P+/N/N+结构的P型铝扩散区组成，下掺杂层为扩散形成的N型磷扩散区，上电极金属层位于两钝化保护层之间的P型硼扩散区及P型铝扩散区的外侧，下电极金属层位于下掺杂层N型磷扩散区的外侧。本实用新型具有以下优点：硅片切割为芯片时在预留机械切割区域切割，避免了切割刀直接作用在玻璃钝化层上，切割损伤层及扩展损伤层均落在芯片不使用区域内，产品质量得以保证。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 漏电 tvs 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种低电压/低漏电流的TVS二极管器件，包括有由中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、钝化保护层、上电极金属层、下电极金属层，其特征在于，所述由上掺杂层为扩散形成的P型硼扩散区及P型硼扩散区的中间段具有P/P+/N/N+结构的P型铝扩散区组成，P型硼扩散区外侧单晶硅本体表面附有钝化保护层，下掺杂层为扩散形成的N型磷扩散区，上电极金属层位于两钝化保护层之间的P型硼扩散区及P型铝扩散区的外侧，下电极金属层位于下掺杂层N型磷扩散区的外侧。
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