[实用新型]光盘薄膜制备中磁控溅射靶材装置无效
申请号: | 201020514920.2 | 申请日: | 2010-09-03 |
公开(公告)号: | CN201793724U | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 郑飞璠;马琰;李明;刘娟;马超;周寒雪 | 申请(专利权)人: | 河南凯瑞数码有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人: | 张智和 |
地址: | 455000 河南省安阳市高新*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 光盘薄膜制备中磁控溅射靶材装置内面为凹面,内底面由中心至外逐渐呈下坡阶梯型设计为非平面形状,分为中心孔区、平面区、增大区和挡板区,使靶材由内至外逐渐增大与盘片的距离,改变了盘片中、外部的溅镀层厚度,使得薄膜形成的厚度由内至外逐渐变薄,从而改变了光穿透率,使光穿透率在盘片上由内至外逐渐升高,达到梯度溅射的目的。 | ||
搜索关键词: | 光盘 薄膜 制备 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】:
光盘薄膜制备中磁控溅射靶材装置,由溅镀靶材组成,其特征在于:磁控溅射靶材装置内面为凹面,内底面由中心至外逐渐呈下坡阶梯型,分为中心孔区(1)、平面区(2)、增大区(3)和挡板区(4) 。
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