[实用新型]喷嘴浸泡装置有效
| 申请号： | 201020506277.9 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN201898116U | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 袁刚;付国亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种喷嘴浸泡装置，包括保护槽，所述保护槽底面设有一外凸的突起，所述突起与保护槽为一体成型，所述突起内设有浸泡槽，所述浸泡槽与所述保护槽相通，所述浸泡槽与所述喷嘴相适配。综上所述，所述清洗装置可以直接对准所述喷头，将喷头浸泡在清洗液中，从而所述喷嘴浸泡步骤不需要将所述喷嘴从固定装置上拆卸下来，即可直接清洗所述喷嘴，从而避免在安装拆卸所述喷嘴时对喷嘴造成的损坏，以及因安装误差造成喷嘴喷射不均匀对晶圆造成的影响。此外，所述喷嘴浸泡装置的结构简单，且采用塑料材料，塑料材料的硬度比喷嘴低，不易因为触碰损伤喷嘴，同时塑料为常见材料，故成本低，故易于制作。 | ||
| 搜索关键词： | 喷嘴 浸泡 装置 | ||
【主权项】：
一种喷嘴浸泡装置，其特征在于，包括保护槽、设置在所述保护槽底面的突起，所述突起的突出方向为与所述保护槽的开口方向相反，所述突起与保护槽为一体成型，所述突起内设有浸泡槽，所述浸泡槽与所述保护槽相通，所述浸泡槽与所述喷嘴相适配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
