[实用新型]带光功率探测的可调光学衰减器无效
| 申请号： | 201020501525.0 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN201804146U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吕海峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市易飞扬通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种带光功率探测的可调光学衰减器，包括双光纤准直器、挡光式的MEMSVOA芯片和光电探测芯片，所述MEMS VOA芯片固定在所述双光纤准直器和光电探测芯片中间，且三者的中心位于同一轴线上，在所述MEMS VOA芯片与所述光电探测芯片相对的MEMS VOA芯片的面上镀有Tap膜。上述带光功率探测的可调光学衰减器的双光纤准直器、MEMS VOA芯片、光电探测芯片依次固定且各中心在同一轴线后，并集成为一个器件，该器件体积小、结构紧凑。这样器件的集成度高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 探测 可调 光学 衰减器 | ||
【主权项】：
一种带光功率探测的可调光学衰减器，其特征在于：包括双光纤准直器、挡光式的MEMS VOA芯片和光电探测芯片，所述MEMS VOA芯片固定在所述双光纤准直器和光电探测芯片中间，且三者的中心位于同一轴线上，在所述MEMS VOA芯片与所述光电探测芯片相对的MEMS VOA芯片的面上镀有Tap膜。
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