[实用新型]片式肖特基二极管有效
| 申请号： | 201020185433.6 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN201741701U | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王毅;殷俊;陈晓华 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 片式肖特基二极管。涉及肖特基二极管。能用于共晶焊。包括由重掺杂硅衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P+环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，其特征是，所述欧姆接触电极为镀覆在重掺杂硅衬底底面的金层；所述的硅外延层厚度1-10μm。本实用新型采用了在掺砷衬底的底面镀覆Au的工艺，能有效的实现与框架的共晶焊，实现器件外形片式样，小型样，从而拓宽了应用范围。P型环有效终结肖特基结边沿处的电场，钝化层能更好的终断反向漏电流，特别是能抑制边沿处的漏电流，背面掺砷衬底上镀Au电极使芯片实现与框架共晶，从而使器件片式化小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 片式肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
片式肖特基二极管，包括由重掺杂硅衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P+环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，其特征是，所述欧姆接触电极为镀覆在重掺杂硅衬底底面的金层；所述的硅外延层厚度1 10μm。
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