[实用新型]基准电压产生电路

摘要

本实用新型提供了一种基准电压产生电路，该电路具有基准电压输出端，包括第一耗尽型NMOS管，第一增强型NMOS管，所述第一耗尽型NMOS管的漏极接电源，第一耗尽型NMOS管的栅极接第一耗尽型NMOS管的源极，所述第一耗尽型NMOS管的源极接第一增强型NMOS管的漏极，第一增强型NMOS管的栅极接第二耗尽型NMOS管的漏极，第一增强型NMOS管的源极接地，所述第一耗尽型NMOS管的源极接至基准电压输出端。本实用新型采用基准电压产生电路结构简单、功率小，并且，本实用新型提供的基准电压产生电路温度特性好，输出端电压不随电源电压变化而变化。

主权项

1.基准电压产生电路，其特征在于，该电路具有基准电压输出端，该电路包括第一耗尽型NMOS管(N₁)，第一增强型NMOS管(N₀)，所述第一耗尽型NMOS管(N₁)的漏极接电源(V_cc)，第一耗尽型NMOS管(N₁)的栅极与其源极连接，所述第一耗尽型NMOS管(N₁)的源极接第一增强型NMOS管(N₀)的漏极，第一增强型NMOS管(N₀)的栅极与其漏极连接，第一增强型NMOS管(N₀)的源极接地，所述第一耗尽型NMOS管(N₁)的源极接至基准电压输出端，所述第一耗尽型NMOS管(N₁)，第一增强型NMOS管(N₀)满足下述公式，Vout=2VTN+2Wd/LdWn/LnVTD]]>其中，V_out为基准电压，为第一耗尽型NMOS管(N₁)的宽长比，V_TD为第一耗尽型NMOS管(N₁)的导通阈值的绝对值；为第一增强型NMOS管(N₀)的宽长比，V_TN为第一增强型NMOS管(N₀)的导通阈值。