[实用新型]基准电压产生电路

权利要求书

1.基准电压产生电路，其特征在于，该电路具有基准电压输出端，该电路包括第一耗尽型NMOS管(N₁)，第一增强型NMOS管(N₀)，所述第一耗尽型NMOS管(N₁)的漏极接电源(V_cc)，第一耗尽型NMOS管(N₁)的栅极与其源极连接，所述第一耗尽型NMOS管(N₁)的源极接第一增强型NMOS管(N₀)的漏极，第一增强型NMOS管(N₀)的栅极与其漏极连接，第一增强型NMOS管(N₀)的源极接地，所述第一耗尽型NMOS管(N₁)的源极接至基准电压输出端，

所述第一耗尽型NMOS管(N₁)，第一增强型NMOS管(N₀)满足下述公式，

Vout=2VTN+2Wd/LdWn/LnVTD]]>

其中，V_out为基准电压，为第一耗尽型NMOS管(N₁)的宽长比，V_TD为第一耗尽型NMOS管(N₁)的导通阈值的绝对值；为第一增强型NMOS管(N₀)的宽长比，V_TN为第一增强型NMOS管(N₀)的导通阈值。

2.根据权利要求1所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述电路还包括第二增强型NMOS管(N₂)，所述第二增强型NMOS管(N₂)的漏极与第一耗尽型NMOS管(N₁)的源极相连，第二增强型NMOS管(N₂)的栅极与其漏极相连，所述第二增强型NMOS管(N₂)的源极接第一增强型NMOS管(N₀)的漏极，其中，第二增强型NMOS管(N₂)具有与第一增强型NMOS管(N₀)相同的宽长比及导通阈值。

3.根据权利要求2所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述电路还包括一低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输入端与第一耗尽型NMOS管(N₁)的源极相连，所述低压差线性稳压器的输出端为基准电压输出端。

4.根据权利要求3所述的基准电压产生电路，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括运算放大器(OP)、第一电阻(R₁)、第二电阻(R₂)、以及三极管(Q₀)，其中，运算放大器(OP)的正相输入端与第一耗尽型NMOS管(N₁)的源极相连，运算放大器(OP)的反相输入端通过第一电阻(R₁)接地，运算放大器的输出端与三极管(Q₀)的基极相连，三极管(Q0)的集电极通过第二电阻(R₂)连接至电源(V_cc)，三极管(Q₀)的发射极与运算放大器(OP)的反相输入端相连，所述三极管(Q₀)的发射极接至基准电压输出端。

5.根据权利要求1至4任一权利要求所述的基准电压产生电路，其特征在于，耗尽型NMOS管和增强型NMOS管在同一工艺条件下制得。