[实用新型]大功率的横向结构LED芯片

摘要

横向结构LED芯片，包括：生长衬底、半导体外延层、透明电极、钝化层、电极。半导体外延层内部有半通槽，其底部是N-类型限制层。钝化层形成在透明电极上并且覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面。N-类型限制层在N-半通槽中暴露。透明电极在P-半通槽中暴露。电极包括，N-和P-打线焊盘、N-和P-非有效条形电极、N-和P-混合条形电极。N-打线焊盘、P-打线焊盘和N-和P-非有效条形电极分别形成在钝化层预定的位置上。N-和P-混合条形电极分别包括N-和P-有效电极部分和N-和P-非有效电极部分，N-有效电极部分形成在N-半通槽中的暴露的N-类型限制层上，P-有效电极部分形成在P-半通槽的底部的暴露的透明电极上。相邻的N-有效电极部分和P-有效电极部分基本互相平行。

主权项

一种大功率的横向结构LED芯片，包括：生长衬底、半导体外延层、透明电极、钝化层、电极；其中，所述的半导体外延层包括，N 类型限制层、活化层、P 类型限制层；其中，所述的N 类型限制层形成在所述的生长衬底上，所述的活化层形成在所述的N 类型限制层上，所述的P 类型限制层形成在所述的活化层上；所述的透明电极形成在所述的P 类型限制层上；所述的半导体外延层的预定的位置上形成至少一个半导体外延层半通槽，所述的半导体外延层半通槽穿过所述的透明电极、所述的P 类型限制层和所述的活化层，所述的半导体外延层半通槽的底部是所述的N 类型限制层；所述的钝化层形成在所述的透明电极上并且覆盖所述的半导体外延层半通槽的侧面和底面；在所述的钝化层的覆盖所述的半导体外延层半通槽的底面的部分的预定的位置上形成至少一个N 半通槽，使得所述的N 类型限制层在所述的N 半通槽中暴露；在所述的钝化层的预定的位置上形成至少一个P 半通槽，所述的P 半通槽穿过所述的钝化层，所述的P 半通槽的底部是所述的透明电极，使得所述的透明电极在所述的P 半通槽中暴露；所述的电极包括，至少一个N 打线焊盘、至少一个P 打线焊盘、至少一个N 非有效条形电极、至少一个N 混合条形电极；至少一个P 非有效条形电极、至少一个P 混合条形电极；所述的N 打线焊盘和所述的P 打线焊盘分别形成在所述的钝化层预定的位置上；所述的N 非有效条形电极和所述的P 非有效条形电极分别形成在所述的钝化层预定的位置上；所述的N 混合条形电极包括N 有效电极部分和N 非有效电极部分，所述的N 非有效电极部分形成在所述的钝化层上，所述的N 有效电极部分形成在所述的N 半通槽中的暴露的N 类型限制层上；所述的P 混合条形电极包括P 有效电极部分和P 非有效电极部分，所述的P 非有效电极部分形成在所述的钝化层上，所述的P 有效电极部分形成在所述的P 半通槽的底部的暴露的透明电极上。