[实用新型]一种基于硅硅键合的压力传感器无效
| 申请号： | 201020153744.4 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN201653605U | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘同庆;沈绍群 | 申请（专利权）人： | 无锡芯感智半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/02 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214100 江苏省无锡市滨湖区十八*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于硅硅键合的压力传感器。其衬底硅片上设有结构硅片，结构硅片与衬底硅片通过硅键合固定连接；结构硅片上设有浅杯槽，浅杯槽的槽底设有背岛；结构硅片对应于与衬底硅片相连接的另一端表面设有敏感电阻，结构硅片上的敏感电阻分别形成惠斯通电桥的桥臂电阻；结构硅片对应于设置敏感电阻的表面上分别依次设置有氧化层及绝缘介质层；绝缘介质层上设有电极，电极与敏感电阻电性连接；结构硅片上还设有对准深孔，对准深孔位于浅杯槽的外圈；对准深孔的深度由绝缘介质层的表面延伸到衬底硅片。本实用新型提高了敏感膜厚度的均匀性，提高了成品率，降低了光刻对准偏差的影响，提高了灵敏度和线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅硅键合 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种基于硅硅键合的压力传感器，包括衬底硅片(1)；其特征是：所述衬底硅片(1)上设有结构硅片(2)，所述结构硅片(2)与衬底硅片(1)通过硅硅键合相固定连接；所述结构硅片(2)对应于与衬底硅片(1)相接触的表面上设有浅杯槽(3)，所述浅杯槽(3)的槽底设有背岛(4)；所述浅杯槽(3)的槽口由衬底硅片(1)封闭，所述背岛(4)位于浅杯槽(3)与衬底硅片(1)相密闭的空腔内；结构硅片(2)对应于与衬底硅片(1)相连接的另一端表面设有敏感电阻(6)，所述结构硅片(2)上的敏感电阻(6)分别形成惠斯通电桥的桥臂电阻；所述敏感电阻(6)位于浅杯槽(3)槽底的上方；结构硅片(2)对应于设置敏感电阻(6)的表面上分别依次设置有氧化层(8)及绝缘介质层(9)；所述绝缘介质层(9)上设有电极(10)，所述电极(10)分别穿过绝缘介质层(9)、氧化层(8)后与敏感电阻(6)电性连接；所述结构硅片(2)上还设有对准深孔(5)，对准深孔(5)位于浅杯槽(3)的外圈；所述对准深孔(5)的深度由绝缘介质层(9)的表面延伸到衬底硅片(1)。
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