[实用新型]一种功率器件的铜线键合设备有效
申请号: | 201020119109.4 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN201773826U | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 李西萍;刘卫光;颜文 | 申请(专利权)人: | 深圳市贵鸿达电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张学群 |
地址: | 518028 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种利用铜线代替金线进行功率器件键合的设备,包括打火杆(2)、送线器(5)、换能器(4)、换能器外端设有供铜线穿过的瓷嘴(3),还设有一个可防止铜线烧球氧化的双管吹气装置;双管吹气装置包括连通保护气源的两根吹气管,两个出气口相对地位于瓷嘴下端的两侧。可为铜线烧球提供N2和H2的混合气体吹气保护,防止铜线烧球的氧化,使得在现有金线键合设备上用铜线代替金线进行键合也能够实现键合的稳定性和可靠性,键合金属线成本下降约84%,产品整体成本下降5.7-8.6%;还降低了芯片产品的饱和压降参数值,铜线的导电能力比金线提高了约20%,增加了产品的可靠性。且本实用新型的技术方案对现有设备的改动较小,容易实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 铜线 设备 | ||
【主权项】:
一种功率器件的铜线键合设备,其包括打火杆(2)、打火杆固定座(8)、送线器(5)、换能器(4),所述换能器外端向下设有供铜线穿过的瓷嘴(3),其特征在于,所述铜线键合设备还设有一个可防止铜线烧球氧化的双管吹气装置;所述双管吹气装置包括连通保护气源的两根吹气管,为第一吹气管(10)和第二吹气管(20),两根吹气管的出气口相对地位于所述瓷嘴(3)下端的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造