[发明专利]8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料有效

专利信息
申请号: 201010620420.1 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN102127425A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 陆军;党思乐;卫敏;段雪 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C09K11/06 分类号: C09K11/06
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 张水俤
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于无机有机复合发光材料领域的一种8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料及其制备方法。其具体操作步骤为:配制二价、三价金属阳离子溶液A和8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘三钠盐和辛烷磺酸钠的溶液B;将配制的NaOH溶液缓慢滴加到A、B混合溶液中;滴加完成后调节pH值,得到浆液D;将浆液D在水热条件下反应;将得到的产物离心洗涤后真空干燥。该方法实现了8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子的固定化,有效地提高了该发光染料分子的荧光效率,降低了该发光染料分子因聚集而产生的荧光淬灭。
搜索关键词: 羟基 三磺酸基芘 阴离子 辛烷 酸根 共插层水 滑石 复合 发光 材料
【主权项】:
一种8‑羟基‑1,3,6‑三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料,其特征在于,该复合发光材料是一种阴离子型超分子层状复合发光材料,其化学式为:[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(A1a‑)y(A2b‑)z·mH2O,其中0.2≤x≤0.33,0.02x≤y≤0.1x,0.7x≤z≤0.94x,并且ya+zb=x,m=3~6为层间结晶水分子数,M2+代表二价金属阳离子,M3+代表三价金属离子,A1a‑代表8‑羟基‑1,3,6‑三磺酸基芘阴离子,a=3,A2b‑代表辛烷磺酸根阴离子,b=1;该复合发光材料的晶体结构为类水滑石材料的晶体结构,金属阳离子和氢氧根离子以共价键构成八面体,通过共边形成片状结构。
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