[发明专利]8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料有效
申请号: | 201010620420.1 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102127425A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 陆军;党思乐;卫敏;段雪 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 张水俤 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 羟基 三磺酸基芘 阴离子 辛烷 酸根 共插层水 滑石 复合 发光 材料 | ||
1.一种8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料,其特征在于,该复合发光材料是一种阴离子型超分子层状复合发光材料,其化学式为:[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(A1a-)y(A2b-)z·mH2O,其中0.2≤x≤0.33,0.02x≤y≤0.1x,0.7x≤z≤0.94x,并且ya+zb=x,m=3~6为层间结晶水分子数,M2+代表二价金属阳离子,M3+代表三价金属离子,A1a-代表8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子,a=3,A2b-代表辛烷磺酸根阴离子,b=1;该复合发光材料的晶体结构为类水滑石材料的晶体结构,金属阳离子和氢氧根离子以共价键构成八面体,通过共边形成片状结构。
2.根据权利要求1所述的一种8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料,其特征在于,所述的M2+为Mg2+、Ni2+、Co2+、Zn2+或Ca2+,M3+为Al3+或Fe3+。
3.一种8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料的制备方法,其特征在于,具体操作步骤为:
(1)配制二价、三价金属阳离子摩尔比M2+/M3+为2∶1~4∶1的溶液A,其中二价金属阳离子浓度为0.01~1.6M;溶剂为水和乙醇的混合溶剂,乙醇所占体积比为30%~50%;
(2)按8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘三钠盐和辛烷磺酸钠摩尔比为1∶32.6~1∶6.52配制混合溶液B,并使得二种阴离子所带负电荷之和等于步骤(1)中M3+离子的摩尔数,两种离子合计摩尔浓度浓度为0.01~2.0M;溶剂选用水和乙醇的混合溶剂,乙醇所占体积比为30%~50%;
(3)将溶液A与溶液B混合得到溶液C,然后将溶液C倒入四口烧瓶中;
(4)配制摩尔数是步骤(1)中的M2+、M3+金属离子摩尔总数2~2.5倍的NaOH溶液,NaOH溶液浓度为0.01~3.0M,溶剂选用水和乙醇的混合溶剂,乙醇所占体积比为30%~50%;将该NaOH溶液通过恒压漏斗,在氮气保护条件下向装有溶液C的四口烧瓶中缓慢滴加;
(5)滴加完成后用NaOH调节pH值4.0~9.0,得到浆液D,将四口烧瓶置于50~80℃水浴中在氮气保护条件下反应12~24小时,或将浆液D转移到水热釜中,控温80~100℃下反应12~24小时;
(6)将步骤(5)中的反应产物分别用去CO2的去离子水和乙醇混合溶液离心洗涤3~6次,至洗涤液无色,乙醇所占体积比为30%~50%;将离心得到的滤饼在50~70℃温度范围内真空干燥15~20小时,即得到8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料。
4.根据权利要求3所述的一种8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料的制备方法,其特征在于,所述的M2+为Mg2+、Ni2+、Co2+、Zn2+或Ca2+,M3+为Al3+或Fe3+。
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