[发明专利]一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010617826.4 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102096334A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王长涛;方亮;罗先刚;刘玲;冯沁;赖之安;杨欢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/08;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法，该超衍射成像器件相邻的透光区通过交替填充具有正负介电系数的两种材料，分别实现相位延迟和相位超前，大大增强了材料厚度对相位差的调制，使该器件更容易实现π相位差，从而进一步提高其成像分辨率。这一方案解决了传统超衍射成像器件难以实现40nm线宽以下分辨率的技术难题，在超分辨成像和纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 原理 提高 分辨率 衍射 成像 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件，其特征在于：最底部的紫外光透明基片和其上带有图形的铬膜组成铬掩模，铬掩模的透光部分交替填充着PMMA和金属银材料，填充的PMMA和金属银材料的厚度与铬膜的厚度相等，保证交替填充材料之后铬掩模的表面平整度，铬掩模及填充材料之上分别为厚度为25nm～55nm的PMMA匹配层和厚度为30nm～35nm的金属银层。
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