[发明专利]低失真MOS衰减器无效
申请号: | 201010617587.2 | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102118138A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | R·G·迈耶;J·D·伯科兰德 | 申请(专利权)人: | 马克西姆综合产品公司 |
主分类号: | H03H7/00 | 分类号: | H03H7/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及低失真MOS衰减器。一种衰减电路,对于为在0Hz到约30MHz的范围间工运作的接收器,使用电压控制的可变电阻晶体管作为信号衰减器的衰减电路。所述晶体管在线性区域内运作以将用于进行信号衰减的晶体管电阻特性线性化。在示例性应用中,所述衰减电路用作用于具有自动增益控制的AM无线电广播接收器和放大器的RF衰减器。多个衰减电路可以被并联耦合,每个衰减电路具有不同尺寸的可变电阻晶体管,以构成可以在最小化失真的同时增大衰减范围的顺序触发级。 | ||
搜索关键词: | 失真 mos 衰减器 | ||
【主权项】:
一种对信号进行衰减的方法,所述方法包括:a.使用作为可变电阻器的晶体管对所述信号进行衰减;b.使用耦合到所述晶体管的缩放电路对所述信号进行缩放;以及c.将经缩放信号和直流偏置信号一起施加到所述晶体管,从而调整用以衰减所述信号的所述晶体管的电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马克西姆综合产品公司,未经马克西姆综合产品公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010617587.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可产生三维立体声效果的耳机
- 下一篇:多载波无线通信系统中的下行链路准许