[发明专利]用于X86中动态二进制优化的两阶段提交区域有效

专利信息
申请号: 201010615584.5 申请日: 2010-12-16
公开(公告)号: CN102103485A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: C·王;Y·吴 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F9/30 分类号: G06F9/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;王洪斌
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一般来说,本公开提供生成具有两个独立提交阶段的两阶段提交(TSC)区域的系统和方法。可为TSC区域识别和组合频繁执行的代码。通过例如对加载和存储指令重排序,二进制优化操作可对TSC区域执行,以便使代码能够更有效地运行。在第一阶段,区域中的加载操作可以原子方式提交,以及在第二阶段,区域中的存储操作可以原子方式提交。
搜索关键词: 用于 x86 动态 二进制 优化 阶段 提交 区域
【主权项】:
一种方法,包括:加载源二进制代码供计算机系统执行,所述计算机系统包括存储器和处理单元,所述处理单元包括多个寄存器和至少一个存储缓冲器;在所述源二进制代码的运行时间期间,识别所述源二进制代码中的多个频繁执行的存储器指令,所述频繁执行的存储器指令包括多个存储指令和多个加载指令;定义包括所述频繁执行的存储器指令的两阶段提交(TSC)区域,并且对所述TSC区域中的所述多个存储器指令执行二进制优化操作;定义所述两阶段提交(TSC)区域的第一阶段,其中,当由所述处理单元执行时,所述多个加载指令在所述第一阶段中以原子方式提交,并且所述多个存储指令在所述第一阶段中退出;定义用于频繁执行的代码块的所述TSC区域的第二阶段,其中,所述多个存储指令在所述第二阶段中以原子方式提交;以及允许来自所述TSC区域外部的至少一个附加的加载或存储存储器指令在所述TSC区域的所述第二阶段中退出。
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