[发明专利]一种SOI型P-LDMOS无效
| 申请号： | 201010612349.2 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142460A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张波;吴丽娟;乔明;胡盛东;胡曦;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOI型P-LDMOS，包括：半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层，所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区，位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧，所述半导体有源层内无轻掺杂漏区域。该方案与现有技术相比，相邻的两个未耗尽的n+掺杂区之间形成了界面电荷岛，当外加电压时，在库仑力的作用下，空穴积累在半导体有源层与介质埋层的交界面，能够增强介质埋层的电场强度，从而提高该器件的纵向击穿电压，以实现在不增加半导体有源层和介质埋层厚度的前提下，提高SOI型P-LDMOS的击穿电压，实现提升其高压应用范围的能力。同时，该方案可以简化SOI型P-LDMOS的制造工艺，提高其生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi ldmos | ||
【主权项】：
一种SOI型P‑LDMOS，包括：半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层，其特征在于：所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区，位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧；所述P‑LDMOS的半导体有源层内无轻掺杂漏区域。
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