[发明专利]控制等离子密度分布的设备和方法无效
| 申请号： | 201010609922.4 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102097273A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;费利克斯·科扎克维奇;路民·李;戴夫·特拉塞尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多个RF功率传输路径限定为从RF功率源经过匹配网络、传输电极和该等离子延伸到多个回路电极。多个调谐元件分别设置在该多个RF功率传输路径内。每个调谐元件限定为调节将经过设有该调谐元件的该RF功率传输路径传输的RF功率的量。特定RF功率传输路径附近内的等离子密度与经过该特定RF功率传输路径传输的RF功率成正比。所以，对经过该RF功率传输路径传输的RF功率的调节，如该调谐元件所做的，能够控制整个基片的等离子密度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 等离子 密度 分布 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相对于基片控制等离子密度分布的方法，包括：向反应气体施加射频(RF)功率以在该基片顶部表面之上产生等离子；以及控制经过该多个RF功率传输路径的每个传输的RF功率的量，其中该RF功率传输路径相对于该基片的顶部表面贯穿该等离子在空间上散开，其中控制经过特定RF功率传输路径传输的RF功率的量使得该特定RF功率传输路径附近内的等离子密度能够成比例地控制。
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