[发明专利]一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法

摘要

一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法，采用在单晶硅上，外延生长V形铜硅化合物，然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物，在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构，步骤：一、在单晶硅Si上，依次沉积Cu-Zr和Cu膜，形成单晶硅Si复合膜基体系；二、对复合膜基体系退火，温度100－800℃，真空度优于1*10-3，时间5－10分钟；三、将退火后的复合膜放入混合液中，超声振荡＞5分钟；四、振荡后用无水乙醇和去离子水清洗，吹干，制得产品。本发明的有益效果：获得的V形槽形态规则、制绒效率更高；表明结构可以有效的降低光的反射；制备成本降低10－15％，质量提高，产率提高30％。

主权项

一种单晶硅太阳能电池表面V形槽绒面的制备方法，采用在单晶硅上，外延生长V形铜硅化合物，然后通过湿法腐蚀去除外延生长的V形铜硅化合物，在单晶硅表面获得低反射率的V形槽绒面结构，其特征在于步骤如下：步骤一、在单晶硅Si 上，依次沉积Cu‑Zr合金膜和纯Cu膜，获得由纯Cu膜和Cu‑Zr合金膜构成的复合膜，形成Cu/Cu‑Zr/单晶硅Si复合膜基体系；步骤二、对复合膜基体系进行退火处理，温度100－800℃，真空度优于1*10‑3，时间5－10分钟；步骤三、将退火后的复合膜/单晶硅Si体系，放入由丙酮、无水乙醇或稀盐酸 1‑25 vol％与氢氟酸1‑50 vol％组成的混合液中，进行超声振荡，振荡时间＞5分钟；步骤四、振荡结束后，取出，用无水乙醇和去离子水清洗，去除生长在单晶硅Si表面的铜硅化合物，吹干，在单晶硅Si基体表面形成高密度和形状规则的V形槽绒面结构。