[发明专利]一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置无效
| 申请号： | 201010603178.7 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102011181A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王飞;郝俊涛 | 申请（专利权）人： | 温州神硅电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 董琪 |
| 地址： | 325000 浙江省苍南县灵溪镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，包括：设于炉体内腔中的保温筒，保温筒的上端部设有上石墨大盖，在上石墨大盖的上表面设有用于密封上石墨大盖与炉壁间间隙的石墨压环；上石墨大盖的中部设有一通孔，导流筒装配在通孔内，所述导流筒包括内筒和外筒，内筒成倒圆锥台形，外筒呈圆柱形，在内筒和外筒之间填充有保温碳毡，内筒和外筒的上端向外侧延展形成环形凸边，导流筒通过该环形凸边嵌装或卡装在上石墨大盖上。本发明所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，增加了石墨压环，改进了导流筒的形状结构，既不影响固液界面平整度和拉晶速度，又能降低硅单晶中氧碳含量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉法 生长 太阳 能用 吋硅单晶 装置 | ||
【主权项】：
一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，其特征在于，包括：设于炉体(41)内腔中的保温筒(7)，保温筒(7)的上端部设有上石墨大盖(5)，在上石墨大盖(5)的上表面设有用于密封上石墨大盖与炉壁间间隙的石墨压环(1)；上石墨大盖(5)的中部设有一通孔(43)，导流筒(44)装配在通孔(43)内，所述导流筒(44)包括内筒(3)和外筒(4)，内筒(3)成倒圆锥台形，外筒(4)呈圆柱形，在内筒(3)和外筒(4)之间填充有保温碳毡(2)，内筒(3)和外筒(4)的上端向外侧延展形成环形凸边，导流筒(44)通过该环形凸边嵌装或卡装在上石墨大盖(5)上。
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