[发明专利]衬底分析装置及衬底分析方法有效
申请号: | 201010602119.8 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102157410A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 川端克彦;李晟在;一之濑达也;国香仁 | 申请(专利权)人: | 埃耶士株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/71 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种衬底分析装置及一种衬底分析方法,其为可通过同一装置进行蚀刻步骤与回收步骤两步骤的小型且简易的分析装置,不论形成于衬底的膜的种类为何皆可进行分析且也适用于衬底上的局部分析。本发明的衬底分析装置,具备由将分析液予以送出及抽吸的喷嘴本体、及配置在喷嘴本体外周的外管所构成的双重管喷嘴,回收手段为双重管喷嘴的喷嘴本体,蚀刻手段为供给至喷嘴本体与外管之间的蚀刻气体。而且,还具备将喷嘴本体与外管之间作为排气路径的排气手段,外管以围绕进行刮引的分析液的方式配置,且在前端具有外气导入孔。依据本发明,可通过同一装置进行蚀刻步骤与回收步骤两步骤,也可进行简易的分析、或针对衬底的特定部位的局部分析。 | ||
搜索关键词: | 衬底 分析 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底分析装置,具备:蚀刻手段,通过气相分解法蚀刻包含分析对象物的衬底;及回收手段,从喷嘴前端将分析液送出至衬底上,以所送出的分析液刮引衬底表面后,由喷嘴前端抽吸分析液并回收分析对象物;其特征在于:具备由用以将分析液予以送出及抽吸的喷嘴本体、及配置在喷嘴本体外周的外管所构成的双重管喷嘴;回收手段为双重管喷嘴的喷嘴本体;蚀刻手段为供给至喷嘴本体与外管之间的蚀刻气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造