[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201010601565.7 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569161A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件制造方法，该方法包括：在基底内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成介质层并对所述介质层进行化学机械研磨；通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理。本发明所提供的半导体器件制造方法，在对浅沟槽内的介质层进行化学机械研磨之后，通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理，从而可将浅沟槽角部的外延层氧化，使得所述浅沟槽角部圆滑化。通过控制高温热氧化工艺中的工艺参数可控制浅沟槽角部圆滑化的程度，进而可避免因较尖的浅沟槽角部而对器件击穿电压和阈值电压造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在基底内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成介质层并对所述介质层进行化学机械研磨；通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
