[发明专利]电压控制可变电容和电压控制振荡器

摘要

本发明提供电压控制可变电容和电压控制振荡器。该电压控制可变电容能够形成在集成电路上，电容可变比率大且Q值高，在构成VCO时能够实现直线性高的控制电压与振荡频率的关系。该电压控制可变电容包括：使下部电极共通连接的多个MOS型电容元件(CM1～CMn)；一端与该多个MOS型电容元件的上部电极连接，另一端共通连接的多个的非电压可变型电容(C1～Cn)；和对这些MOS型电容元件和非电压可变型电容的连接点分别施加不同的固定偏置电压的部件(VB1～VBn和电阻)，其中，对共通连接有上述多个MOS型电容的下部电极施加控制电压。

主权项

一种电压控制可变电容，其特征在于：(1)使用多个MOS型电容元件，该MOS型电容元件具有：形成在硅层内的N型阱层；在该阱层上隔着栅极氧化膜形成的栅极电极；和在相对于所述栅极电极在面方向上离开的位置形成在所述阱层内、由N型杂质浓度比阱层多的N+层构成的接触层，(2)所述多个MOS型电容元件的各个接触层共通地电连接，(3)设置有用于向各MOS型电容元件的栅极电极供给相互不同的偏置电压的偏置电压供给部，(4)设置有一端分别与所述MOS型电容元件的栅极电极连接，另一端共通地连接的多个非电压可变型电容元件，(5)当令在所述MOS型电容元件的阱层形成源极、漏极而构成MOS型晶体管时的阈值电压为Vt时，大小相邻的偏置电压彼此的差被设定为比所述阈值电压Vt小，其中，通过向所述接触层供给控制电压，对所述多个MOS型电容元件的共通连接点与所述多个非电压可变型电容元件的共通连接点之间的电容值进行控制。