[发明专利]一种碳薄层电极无效

专利信息
申请号: 201010600093.3 申请日: 2010-12-22
公开(公告)号: CN102169963A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 涂洪明;周荃;田斌新 申请(专利权)人: 涂洪明
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/46;H01L51/52;H01L51/54;B32B15/02;B32B15/04;B32B9/04
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 徐宏;吴彦峰
地址: 618116 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于光电材料和器件科技领域,本发明公开了一种碳薄层电极,包括透明衬底(1)、碳薄层(2)、金属纳米颗粒层(3);所述碳薄层(2)覆盖于所述透明衬底(1)上;所述金属纳米颗粒层(3)沉积在碳薄层(2)上;在满足一定的光透过率的情况下,其碳薄层具有优异的导电性。
搜索关键词: 一种 薄层 电极
【主权项】:
一种碳薄层电极,其特征在于包括透明衬底(1)、碳薄层(2)、金属纳米颗粒层(3);所述碳薄层(2)覆盖于所述透明衬底(1)上;所述金属纳米颗粒层(3)沉积在碳薄层(2)上。
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