[发明专利]高压半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201010598548.2 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102569159A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实施例公开了一种高压半导体器件制造方法，包括：提供基底；在横向上去除掉STI浅沟槽角上的部分刻蚀阻挡层材料；去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑；形成衬垫氧化层；形成STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区；在包括STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区的基底表面上形成栅介质层。本发明实施例通过去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑，减小了STI浅沟槽角上的应力，从而使后续形成的衬垫氧化层在STI浅沟槽角上的分布变的更加均匀，进而改善了STI浅槽隔离区角上的栅介质层偏薄的现象，使器件性能得到明显的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括本体层、隔离氧化层、刻蚀阻挡层以及STI浅沟槽；在横向上去除掉STI浅沟槽角上的部分刻蚀阻挡层材料，以露出部分本体层材料；去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑；在STI浅沟槽侧壁、底部以及露出的本体层材料区域形成衬垫氧化层；形成STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区；在包括STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区的基底表面上形成栅介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010598548.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：相变存储器及其制备方法
- 下一篇：一种金属导线尺寸监测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
