[发明专利]一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法有效
| 申请号： | 201010591390.6 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102534479A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/58;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≦x≦0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si sb sub te 复合 相变 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微晶Si‑SbxTe1‑x复合相变材料，其特征在于：由微晶态的Si和相变材料SbxTe1‑x复合而成，其中0.1≤x≤0.9。
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