[发明专利]一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法有效
| 申请号： | 201010591390.6 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102534479A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/58;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si sb sub te 复合 相变 材料 制备 方法 | ||
1.一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，其特征在于：由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≤x≤0.9。
2.根据权利要求1所述一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，其特征在于：所述微晶态的Si的晶粒尺寸为3-20nm。
3.一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料；然后通过在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料；最后加热脱氢；其中0.1≤x≤0.9。
4.根据权利要求3所述一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的制备方法，其特征在于：PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料之后，先在该非晶Si-SbxTe1-x材料的结晶温度以上进行退火，使其形成非晶Si和SbxTe1-x晶体分相，然后再通过在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。
5.根据权利要求3所述一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的制备方法，其特征在于：在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的退火温度为200-500摄氏度。
6.根据权利要求3所述一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的制备方法，其特征在于：在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的退火时间为10-30min。
7.根据权利要求3所述一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的制备方法，其特征在于：加热脱氢为在300-600摄氏度保温25-30min实现脱氢。
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