[发明专利]一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法有效

专利信息
申请号: 201010586837.0 申请日: 2010-12-09
公开(公告)号: CN102120313A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 施春燕;袁家虎;伍凡;万勇建;范斌;雷柏平 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: B24C1/08 分类号: B24C1/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 梁爱荣
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明是一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法,利用射流抛光系统,检测待抛光工件抛光前的面形数据;待抛光工件置放于盛满抛光液的容器中;调节喷嘴的出口与待抛光工件的表面之间的距离,使喷嘴的出口淹没在抛光液中;在单位时间内,利用喷嘴定点对待抛光工件进行全淹没射流抛光,得到去除待抛光工件材料的去除量分布;利用干涉仪检测单位时间内喷嘴在定点抛光区域去除待抛光工件材料的去除量分布,生成抛光去除材料后的待抛光工件的面形数据,利用计算单元将待抛光工件的抛光前的面形数据减去抛光去除材料后待抛光工件的面形,获得显示材料去除函数的优化分布。
搜索关键词: 一种 抛光 工件 射流 材料 去除 函数 优化 方法
【主权项】:
一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法,其特征在于:利用含有喷嘴、待抛光工件、抛光液容器及计算单元的射流抛光设备,实现所述方法包括步骤如下:步骤S1:检测待抛光工件的初始面形,获得抛光前的面形数据;步骤S2:使用一个盛满抛光液的容器,待抛光工件置放于抛光液容器中;步骤S3:调节喷嘴的出口与待抛光工件的表面之间的距离,使喷嘴的出口淹没在抛光液中;步骤S4:在单位时间内,利用喷嘴定点对待抛光工件进行全淹没射流抛光,得到去除待抛光工件材料的去除量分布;步骤S5:利用干涉仪检测单位时间内喷嘴在定点抛光区域去除待抛光工件材料的去除量分布,生成抛光去除材料后的待抛光工件的面形数据,利用计算单元将待抛光工件的抛光前的面形数据减去抛光去除材料后待抛光工件的面形,获得材料去除函数分布;步骤S6:显示材料去除函数分布,抛光去除材料后的待抛光工件获得呈旋转近似对称的、连续的、光滑的、中间有最大去除量的高斯函数形状的材料去除函数的优化分布。
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