[发明专利]一种垂直衬底的ZnO纳米线阵列尺寸、位置可控生长工艺无效
| 申请号： | 201010577657.6 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102531031A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王丹丹;杨景海;邢国忠;杨丽丽 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直衬底的ZnO纳米线阵列尺寸、位置可控生长的工艺。本生长工艺是采用两步气相传输法生长ZnO纳米线阵列，即先在衬底上真空镀一层Au膜，再采用气相传输法进行纳米线阵列的生长，通过调节衬底上Au膜的厚度和位置，实现ZnO纳米线阵列直径大小和分布的可控生长。这种方法不但操作简单，而且同样适用于其它以Au膜作为催化剂而生长的材料。本发明为其他纳米材料位置、尺寸可控生长提供了有效后备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 衬底 zno 纳米 阵列 尺寸 位置 可控 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种垂直衬底的ZnO纳米线阵列尺寸、位置可控生长工艺，其特征在于：本生长工艺是采用两步气相传输法生长ZnO纳米线阵列，即先在衬底上真空镀一层Au膜，再采用气相传输法进行纳米线阵列的生长，通过调节衬底上Au膜的厚度和位置，实现ZnO纳米线阵列直径大小和分布的可控生长。
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