[发明专利]闪速存储器件及其编程方法有效
| 申请号： | 201010573000.2 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102087878A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金武星;李汉埈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种闪速存储器件，包括：存储单元阵列，其包括沿行和列布置的存储单元。在存储单元阵列的选中存储单元中编程第一页数据，并且在选中存储单元中随后编程第二页数据。使用具有第一起始值的编程电压编程第一页数据编程，并且使用具有通过选中存储单元的编程特性确定的第二起始值的编程电压编程第二页数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种闪速存储器件，包括：存储单元阵列，包括沿与相应的字线连接的行、和与相应的位线连接的列布置的多个存储单元，其中存储单元的每一行被配置为通过相应的字线存储多页数据；电压生成电路，其被配置为生成将被施加到与多个存储单元连接的字线当中的选中字线的编程电压；以及编程电压控制器，其被配置为在选中存储单元中编程第一页数据期间检测与选中字线连接的选中存储单元的编程特性，并且控制在用于存储第二页数据的编程操作中将被施加到选中存储单元的编程电压的起始电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010573000.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
