[发明专利]GaN增强型MISFET器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010572132.3 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102082176A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;贺致远;姚尧 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN增强型MISFET器件及其制备方法，器件包括衬底及设于衬底的外延层，其中，外延层由下往上依次包括应力缓冲层及GaN层，GaN层上选择生长有异质层，未生长有异质层的GaN层表面及异质层表面上形成有绝缘介质层，且在GaN层表面形成的绝缘介质层上设有栅极区域，在异质层表面刻蚀绝缘介质层形成源极区域及漏极区域，栅极区域形成有栅极金属，源、漏极区域上形成有欧姆接触金属。本发明特点是：采用了选择区域外延技术在接入区生长具有高浓度的二维电子气的异质结构，实现栅极和源漏极导电沟道平面的自然对准，可以有效地降低接入区电阻，提高器件栅极阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | gan 增强 misfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN增强型MISFET器件，包括衬底（1）及设于衬底（1）的外延层，其特征在于，外延层由下往上依次包括应力缓冲层（2）及GaN层（3），GaN层（3）上选择生长有异质层（6），未生长有异质层（6）的GaN层（3）表面及异质层（6）表面上形成有绝缘介质层（8），且在GaN层（3）表面形成的绝缘介质层（8）上设有栅极区域，在异质层（6）表面上通过刻蚀绝缘介质层（8）形成源极区域及漏极区域，栅极区域形成有栅极金属（10），该源、漏极区域上形成有欧姆接触金属（9）。
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