[发明专利]形成可变电阻存储器件的方法无效
| 申请号： | 201010562707.3 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102104111A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 朴瑛琳;李琎一;安东浩;李始炯;吴圭焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成可变电阻存储器件的电极的方法和使用该方法的可变电阻半导体存储器件。该方法包括：形成加热电极；在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及在该可变电阻材料层上形成顶电极，其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极通过热化学气相沉积方法形成而没有使用等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 可变 电阻 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成可变电阻存储器件的方法，包括：形成加热电极；在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及在该可变电阻材料层上形成顶电极，其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极通过热化学气相沉积方法形成而没有使用等离子体。
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