[发明专利]喷射嘴与晶圆的对中装置及方法无效
申请号: | 201010562484.0 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102082075A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 万晓强;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100016 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种喷射嘴与晶圆的对中装置及方法,装置包括:晶圆装载模块、位置检测模块、参数设置模块和位置调整模块,晶圆装载模块用于装载晶圆;位置检测模块,用于实时地识别喷射嘴的位置及轮廓,获取所述喷射嘴的位置及轮廓数据;参数设置模块,用于根据所述位置及轮廓数据设置所述喷射嘴的参考点;位置调整模块,用于根据位置参数,调整喷射嘴的位置,使喷射嘴的参考点与所述晶圆装载模块上表面的几何中心对准,本发明通过对喷射嘴的位置检测和调整,以实现喷射嘴与晶圆对中,使得喷射嘴与晶圆物理中心的偏差而引起中心区域刻蚀或清洗不足得到解决。 | ||
搜索关键词: | 喷射 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种喷射嘴与晶圆的对中装置,其特征在于,包括:晶圆装载模块、位置检测模块、参数设置模块和位置调整模块,所述晶圆装载模块用于装载晶圆;所述位置检测模块,放置在所述晶圆装载模块上,用于实时地识别喷射嘴的位置及轮廓,获取所述喷射嘴的位置及轮廓数据,并将所述位置及轮廓数据发送至所述参数设置模块;所述参数设置模块,用于根据所述位置及轮廓数据设置所述喷射嘴的参考点,将设置的所述喷射嘴的参考点的位置参数传输给所述位置调整模块,所述位置参数为所述喷射嘴的参考点在所述晶圆装载模块上表面所在平面上的投影相对于所述晶圆装载模块上表面几何中心的位置;所述位置调整模块,用于根据接收到的所述位置参数,调整所述喷射嘴的位置,使所述喷射嘴的参考点与所述晶圆装载模块上表面的几何中心对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010562484.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种卡尺结构
- 下一篇:一种实弹射击用的靶挡
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造